L'elementu riscaldante SICTECH MHD in carburu di siliziu adotta l'ultime tecnologie di riscaldamentu in Cina è à l'internu. A temperatura massima pò ghjunghje à 1625 gradi Celsius. Hà alta densità è bassa porosità. Pò resistere efficacemente à l'erosione di gasi dannosi, vapori d'acqua è ossidi metallichi. Velocità di invecchiamento, più tempu di utilizzu, frequenza di rimpiazzamentu ridotta, riduzzione di i costi di produzione per l'utilizatori, adatta per siti esigenti cum'è vetru, elettronica è materiali di metalli preziosi.
L'elementu riscaldante Huanneng SICTECH in carburu di siliziu pò furnisce una varietà di materiali è strutture di riscaldamentu di u corpu, elementi riscaldanti tubulari cavi, elementi riscaldanti solidi, elementi riscaldanti spirali, è ponu esse progettati secondu e esigenze di u cliente. L'elementu riscaldante di carburu di silicuu SICTECH pò ancu furnisce una varietà di rivestimenti superficiali secondu vari ambienti di produzione di forni; pò bluccà efficacemente i gasi volatili cum'è vapore d'acqua, azotu, idrogenu, gasi alcalini, ossidi metallici, ecc., riducendu efficacemente l'erosione di l'elementu riscaldante di carburu di siliziu da gasi volatili dannosi.Caratteristiche Fisiche
Elementi di Caratteristiche |
Unità |
Type |
||
GD / U / W |
HGD |
LS / LD |
||
Densità di pretensione |
3.2 |
3.2 |
3.1 |
|
Densità Bulk |
2.5 |
2.58 |
2.8 |
|
Apparente Porosità |
% |
23 |
20 |
5 |
Forza di Curvatura |
MPa à 25 ℃ |
50 |
60 |
98 |
Calore Specificu |
kj / kg + ℃ à 25 ℃ -1300 ℃ |
1.0 |
1.0 |
1.0 |
Conduttività di u Calore |
W / m + ℃ à 1000 ℃ |
12-18 |
14-19 |
16-21 |
Resistenza Nominale |
Ω cm à 1000 ℃ |
0,08 |
0,1 |
0,016 |
Coefficiente di Espansione Termica |
1000 ℃ (X 10-6 / ℃) |
4.5 |
4.5 |
4.5 |
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ACCESSORI